三星抢进 6 纳米制程，二代 10 纳米年底量产

　　三星电子野心勃勃，全力抢攻晶圆代工业务，该公司宣布第二、三代 10 纳米制程量产时间，并表示未来将增加 8 纳米和 6 纳米制程，呛声台积电意味浓厚。

　　三星电子 15 日新闻稿称，三星电子 10 纳米 FinFET 制程良率稳定，能及时满足客户需求，增产情况顺利。三星第一代 10 纳米制程 LPE（Low Power Early、10LPE），于去年 10 月量产，已经出货 7 万组矽晶圆。

　　三星电子晶圆代工主管 Jongshik Yoon 说，10LPE 之后，第二代 10 纳米制程 LPP“10LPP”将在今年底量产。第三代 10 纳米制程 LPU“10LPU”明年量产，将持续提供业界最具竞争力的制程技术。

　　与此同时，三星表示，发展路径图增加了 8 纳米和 6 纳米制程，效能和功耗都表现更佳，承继 10 纳米和 7 纳米的创新技术，更具成本竞争力。三星将在 5 月 24 日召开“美国三星晶圆代工论坛”（US Samsung Foundry Forum），届时会提供更多细节。

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