韩国半导体产业发家史：政府推动巨额投资三星“死磕”闯出

2018-05-23 18:28:08 来源：网络整理作者：王振洲

三星制定了一个详细的计划，根据这个计划，三星全部半导体产品中大约50％应该是DRAM。通过对精心挑选的DRAM领域关注，实现规模经济和成本的竞争力。

其后，SST国际公司在硅谷成立，成为三星的技术前哨。SST国际公司（与Tristar半导体公司同年更名）为三星的产品开发做出了重大贡献，SST国际公司成功开发的产品会转让给韩国的母公司SST，用于批量生产，这对三星的技术开发起到了至关重要的作用。

1983年，三星在京畿道器兴地区建成首个芯片厂，并开始了接下来的一系列动作。三星电子首先向当时遇到资金问题的美光(Micron)公司购买64K DRAM技术，加工工艺则从日本夏普公司获得，此外，三星还取得了夏普“互补金属氧化物半导体工艺”的许可协议。

在此过程中，三星等韩国公司已逐渐熟悉渐进式工艺创新，加上这些公司逆向工程方面的长期经验，韩国的半导体产业进入了发展的快车道。

在选择DRAM作为主要产品后不久，三星于1983年11月成功研发了64K DRAM。从技术上讲，韩国半导体行业实现了从相对简单的LSI技术到尖端的VLSI技术的重大飞跃。由此，1983年标志着韩国VLSI芯片时代的开始。不可否认的是，在最初阶段，外国技术许可在三星产品开发中发挥了至关重要的作用。

随后，三星电子1984年成立了一家现代化的芯片工厂，用于批量生产64K DRAM。1984年秋季首次将其出口到美国。1985年成功开发了1M DRAM，并取得了英特尔“微处理器技术”的许可协议。

此后三星在DRAM上不断投入，韩国政府也全力配合。由韩国电子通信研究所【KIST，由韩国科学和技术部（MOST）管理】牵头，联合三星、LG、现代与韩国六所大学，“官产学”一起对4M DRAM进行技术攻关。该项目持续三年，研发费用达1.1亿美元，韩国政府便承担了57%。随后韩国政府还推动了16M / 64M DRAM的合作开发项目。

1983年至1987年间实施的“半导体工业振兴计划”中，韩国政府共投入了3.46亿美元的贷款，并激发了20亿美元的私人投资，这大力促进了韩国半导体产业的发展。

在1987年，世界半导体市场还出现另一个机会，这源自美国和日本之间的半导体贸易冲突以及随后的政治调控。1985年以后，日本DRAM生产商市场份额的增加，被认为是牺牲了美国生产商的利益，美日之间的贸易冲突日益加剧。

日本首先宣布对外国半导体生产商实施半导体贸易协定（STA），美国政府则于1987年3月宣布了对含日本芯片的日本产品征收反倾销税等报复措施。

最终，日本承诺通过减少DRAM产量来提高芯片价格。但当时美国计算机行业需求增长，导致全球市场上256K DRAM的严重短缺。这为韩国256K DRAM生产商提供了重要的“机会之窗”。

此后韩国一直在赶超。1988年三星完成4M DRAM芯片设计时，研发速度比日本晚6个月，随后三星又趁着日本经济泡沫破裂，东芝、NEC等巨头大幅降低半导体投资时机，加大投资，引进日本技术人员。并于1992年开发出世界第一个64M DRAM，超过日本NEC，成为世界第一大DRAM制造商。

赌徒：逆周期投资

超越日本成为世界第一大DRAM制造商只是三星带领韩国半导体产业迈向世界第一梯队的第一步。

1995年之后，三星多次发起“反周期定律”价格战，使得DRAM领域多数厂商走向破产，并逐渐形成DRAM领域只有几家垄断市场的现状。

集邦咨询拓墣产业研究院研究经理林建宏对21世纪经济报道记者表示，半导体产业每年需投入大量资本支出，用于设备与技术的开发。三星是综合公司型态，即使存储器市场低迷，仍可透过其他事业部门注入资金。这让三星逐步成为半导体产业巨擘。

比如，三星于1984年推出64K DRAM时，全球半导体业步入一个低潮，内存价格从每片4美元暴跌至每片30美分，而三星当时的生产成本是每片1.3美元，这意味着每卖出一片内存三星便亏1美元。

在低潮期，英特尔退出DRAM行业，NEC等日企大幅削减资本开支，而三星却像“赌徒”一般疯狂加码，逆周期投资，继续扩大产能，并开发更大容量的DRAM。

到1986年底,三星半导体累积亏损3亿美元，股权资本完全亏空。但转机却瞬间来到，1987年，日美半导体协议的签署使得DRAM内存价格回升，三星也为全球半导体市场的需求补缺，开始盈利，从逆势中挺了过去。