骁龙5G芯片曝光：三星7nm LPP EUV工艺

　　2月23日动静，持续本月初三星下通正在各类手艺范畴战挪动装备范畴告竣多年计谋协作干系以后，下通颁布发表取三星电子扩展EUV造程工艺的代工协作，包罗接纳三星7纳米LPP（Low Power Plus）EUV造程工艺造制将来骁龙5G挪动芯片组。

　　来年蒲月，三星推出其尾款接纳EUV光刻处理计划的半导体系体例程工艺7LPP EUV。EUV光刻手艺的布置估计将突破摩我定律的壁垒，为单纳米半导体手艺的开展摊平门路。

　　据悉，经由过程接纳三星7LPP EUV造程工艺，骁龙5G挪动芯片组的芯片尺寸能够变得更小，从而为OEM厂商行将推出的产物供给更多可用空间，以撑持更年夜电池或更纤薄设想。工艺改良取更先辈芯片设想的分离估计将带去隐著提拔的电池绝航。

　　相较于其前代10纳米FinFET手艺，三星的7LPP EUV手艺经由过程更少工艺步调战更佳良率，不只极年夜天低落了工艺庞大性，也带去了下达40%的里积服从，同时真现10%的机能提拔或下达35%的功耗低落。

　　Qualcomm Technologies, Inc.供给链及采购初级副总裁RK Chunduru暗示：“我们很快乐可以取三星配合引发5G挪动止业。经由过程接纳7纳米 LPP EUV，我们齐新一代骁龙5G挪动芯片组将充实操纵工艺改良战先辈的芯片设想，以进步将来末真个用户体验。”

　　三星电子代产业务贩卖及市场施行副总裁Charlie Bae暗示：“我们很快乐扩展取Qualcomm Technologies的代工协作干系，正在5G手艺中接纳我们的EUV造程工艺。此次协作是我们代产业务的里程碑，表白了关于三星抢先造程工艺的自信心。”

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