骁龙835规格提前曝光：10nm工艺给力

　　【手机中国 新闻】前些时候，高通曾在推特上宣布将在CES上介绍骁龙835的具体细节。不过，这次可能是保密工作没有做好，在CES即将开幕之际，先是骁龙835的PPT偷跑，随后爆料大神@evleaks扒出了骁龙835的新闻稿，揭露了这款全新旗舰处理器的各方面规格。

　　骁龙835采用10nm工艺制程，其尺寸比骁龙820减小了30%，这使得它能提供更长的续航和更低的功耗。总体来说，骁龙835的性能比前代提升了27%，能耗降低了40%。骁龙835主要有以下几项升级，大家不妨先来一睹为快。

　　电池续航：骁龙835采用Kryo 280 CPU，内置Adreno 540 GPU，为10nm工艺设计，可以提供1天以上的通话时间、5天以上的音乐播放、7小时以上的4K视频。配合QC 4.0快充技术，可充电5分钟，使用5小时。

　　沉浸式AR和VR：骁龙835支持场景和物理音源，支持解码DSD原片，动作位移延迟减少20%，6角度追踪。其3D渲染速度比820快了25%，同时多支持60倍的屏幕显示色。

　　拍照：通过Hexagon DSP、Spectra 180 ISP、Adreno 540 GPU的相互配合，骁龙835的拍照更清晰，对焦也更快。此外，软件算法方面，高通推出了电子防抖3.0、高级4K视频防抖、滚动快门校正、双镜优化等。

　　连接：骁龙835支持X16 LTE，支持802.11ad Wi-Fi，得益于10nm工艺，其基带模块封装面积缩小了45%，能效提升60%。

　　在安全性、深度学习上骁龙835也进行了升级。预计随着CES的来临，骁龙835在正式公布规格后，将陆续被新一代旗舰采用。