高通骁龙835发布 采用三星10纳米工艺

　　【手机中国 新闻】11月17日，美国高通公司宣布与三星电子合作推出全新的旗舰处理器——骁龙835。该处理器采用三星10纳米FinFET制程工艺，并由三星电子代工。

高通骁龙835旗舰处理器发布

　　今年10月，三星率先在业界实现10纳米FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以减少高达30%的芯片尺寸，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器具有更小的芯片尺寸，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，将会显著提升电池续航。

支持全新的QC 4.0快充

　　三星执行副总裁及晶圆代工业务主管Jong Shik Yoon表示：作为晶圆代工业务的一项重要里程碑，此次合作显示了高通对于对三星领先制程工艺的信心。目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载该芯片的商用终端将于2017年上半年出货。作为今年各大品牌旗舰机首选的骁龙820/骁龙821处理器的后续产品，骁龙835很有可能将延续辉煌战绩。